Tantalforstøvningsmål med høy renhet

In recent years, with the rapid development of the electronic information industry, sputtering targets for integrated circuits have also been greatly developed. Among the metal targets used to manufacture semiconductor chips, common sputtering targets are non-ferrous metals such as Ta Ti Al Co and Cu. Among them, the largest amount of metal sputtering targets for integrated circuit manufacturing is ultra-high purity aluminum (>99,999 prosent ) og aluminiumslegeringsmål med ultrahøy renhet, og titanmål med ultrahøy renhet som brukes til sputtering av barrierelag, er titanmål med ultrahøy renhet. I LSI-er er elektromigrering av metallforbindelser en av hovedfeilmekanismene. Ved høy strømtetthet er aluminiumtråd utsatt for elektromigrering, noe som resulterer i dannelse av fremspring og hulrom i aluminiumsforbindelsesfilmen, og reduserer dermed driftseffektiviteten og påliteligheten til integrerte kretser. Resistiviteten til Cu er omtrent 35 prosent lavere enn for Al, og motstanden mot elektromigrasjon er også sterk; Og med høyskalautviklingen av integrerte kretser, blir graden av integrasjon høyere og høyere, og det stilles høyere tekniske krav til fremstilling av sputtering-mål for interline- og barrierelag, i den dype submikron-prosessen ( Mindre enn eller lik 018um), vil kobber gradvis erstatte aluminium som materialet for metalliserte ledninger på silisiumskiver, kobbermål med ultrahøy renhet kan brukes mer, og den tilsvarende sputteringen av den mannlige barrieren er et tantalmål med høy renhet.

Med økningen i mengden tantalmål med høy renhet som sputterbarrierebeleggmateriale, blir kravene til målytelse også høyere og høyere, slik som større og større sputtermålstørrelse, jo finere og mer jevn mikrostruktur, etc. Derfor har forskningen på forberedelsesprosessen for sputtering av mål gradvis vakt oppmerksomhet. For tiden inkluderer forberedelsesprosessen for tantalforstøvningsmål med høy renhet hovedsakelig smelte- og støpemetode og pulvermetallurgimetode:

1. Forberedelse av høyrent sputtering-mål ved smelte- og støpemetode

Smelte- og støpemetoden er for tiden hovedmetoden for å forberede tantalforstøvningsmål, generelt blir tantalråmaterialene smeltet (elektronstråle eller lysbue, plasmasmelting, etc.), og de oppnådde blokkene eller emnene blir gjentatte ganger varmsmidd, glødet, og deretter rullet, glødet og avsluttet inn i målet. Ingots eller emner er varmsmidd for å ødelegge støpestrukturen, slik at porene eller segregeringen diffunderer, forsvinner og deretter rekrystalliserer dem ved gløding, og forbedrer derved fortettingen og styrken til vevet.

For å sikre at målet kan forstøve filmer av høy kvalitet, er det generelt høye krav til tantalforstøvningsmål, og jo høyere renheten til målmaterialet er, jo bedre filmkvalitet.

2. Forberedelse av høyrent tantal-sputteringsmål ved pulvermetallurgi

Metodene for å tilberede tantalmål med høy renhet ved pulvermetallurgi inkluderer hovedsakelig varmpressing, varm isostatisk pressing, kald isostatisk vakuumsintring, etc. For tiden er den mer vanlige pulvermetallurgiske prepareringsmetoden for tantalforstøvning hovedsakelig varmpressing og varm isostatisk pressemetode ved å nitrere overflaten av metallpulveret, kan tantalpulver med oksygeninnhold under 300 mg/kg og nitrogeninnhold under 10 mg/kg oppnås, og deretter lastes inn i formen, og deretter kaldpresset forming og varm isostatisk pressstøping eller annet sintring metoder, renheten på 99,95 prosent eller mer, den gjennomsnittlige kornstørrelsen er mindre enn 50um, eller til og med 10um, teksturen er tilfeldig, og tekstur jevn tantal mål langs overflaten og tykkelsen av målet.

Populære tags: høyrent tantal sputtering mål, leverandører, produsenter, fabrikk, tilpasset, kjøp, pris, tilbud, kvalitet, til salgs, på lager